特許

J-GLOBAL ID：201403039064059598

半導体装置

発明者： 杉本 雅裕
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-092255
公開番号（公開出願番号）：特開2014-216465
出願日： 2013年04月25日
公開日（公表日）： 2014年11月17日
要約：

【課題】 温度センスダイオード部と電力用半導体素子部とが同一の半導体基板に設けられる半導体装置において、温度センスダイオード部の温度検出精度の低下を抑制する技術を提供する。【解決手段】 半導体装置10は、電力用半導体素子部14と温度センスダイオード部12が設けられた半導体基板11を備える。温度センスダイオード部12は第1半導体領域50と、第2半導体領域54と、第1ベース領域60と、第1ドリフト領域32aを備える。半導体基板11には、第1ベース領域60を貫通して第1ドリフト領域32aにまで延びており、温度センスダイオード部12の外周を取り囲む分離トレンチ62が形成されている。分離トレンチ62の一方の側壁62bの少なくとも一部は電力用半導体素子部14と接しており、分離トレンチ62の他方の側壁62aは温度センスダイオード部12と接している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電力用半導体素子部と温度センスダイオード部が設けられた半導体基板を備えており、 温度センスダイオード部は、 第1導電型であり、半導体基板の上面に臨む範囲に配置されている第1半導体領域と、 第2導電型であり、半導体基板の上面に臨む範囲に配置されている第2半導体領域と、 第1導電型であり、半導体基板の上面に臨む範囲に配置されており、第1半導体領域及び第2半導体領域に接するとともにこれらを取り囲んでいる第1ベース領域と、 第2導電型であり、第1ベース領域の下面に接しており、第1ベース領域によって第1半導体領域及び第2半導体領域から分離されている第1ドリフト領域と、を備えており、 半導体基板には、第1ベース領域を貫通して第1ドリフト領域にまで延びており、温度センスダイオード部の外周を取り囲む分離トレンチが形成されており、 分離トレンチの一方の側壁の少なくとも一部は電力用半導体素子部と接しており、分離トレンチの他方の側壁は温度センスダイオード部と接していることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/322

FI (8件)：

H01L29/78 657F ,  H01L29/78 652R ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 658H ,  H01L21/322 K