表示装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-184107
公開番号（公開出願番号）：特開2014-041958
出願日： 2012年08月23日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：

【課題】入光による信頼性の低下及び絶縁耐圧の低下を防ぐことを目的とする。【解決手段】ゲート絶縁膜30は、ゲート電極26の表面形状に従って凸部32を有し、ゲート電極26の周縁からゲート電極26の表面に沿って高さが変化する段差部34を有する。酸化物半導体層40は、チャネル領域44、ソース領域46及びドレイン領域48を連続一体的に有するトランジスタ構成用領域42と、トランジスタ構成用領域42から分離されてゲート絶縁膜30の段差部34を覆う被覆領域50と、を有するように、ゲート絶縁膜30の上に設けられる。酸化物半導体層40のチャネル領域44上にチャネル保護層54が設けられる。酸化物半導体層40のソース領域46及びドレイン領域48に接してソース電極56及びドレイン電極58が設けられる。ソース電極56及びドレイン電極58の上にパッシベーション層66が設けられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように前記基板の上に設けられ、前記ゲート電極の表面形状に従って凸部を有し、前記ゲート電極の周縁から立ち上がる形状に沿って高さが変化する段差部を有するゲート絶縁膜と、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を連続一体的に有するトランジスタ構成用領域と、前記トランジスタ構成用領域から分離されて前記ゲート絶縁膜の前記段差部を覆う被覆領域と、を有するように、前記ゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の前記チャネル領域上に設けられたチャネル保護層と、前記酸化物半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域にそれぞれ接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に設けられたパッシベーション層と、を有することを特徴とする表示装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136

FI (5件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 618B , H01L29/78 612A , H01L29/78 617S , G02F1/1368

Fターム (52件)：

2H092JA26 , 2H092JA34 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JB57 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB24 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092NA21 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD14 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK33 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN14 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ03 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタ及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-334207 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

薄膜トランジスタ及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-334207 出願人：松下電器産業株式会社

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