特許

J-GLOBAL ID：201403039390815424

半導体素子、半導体装置

発明者： 藤井 善夫 ,  川上 剛史 ,  海老原 洪平 ,  中田 修平
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-262817
公開番号（公開出願番号）：特開2014-110277
出願日： 2012年11月30日
公開日（公表日）： 2014年06月12日
要約：

【課題】本発明は、耐電圧特性と信頼性を向上する半導体素子または半導体装置の提供を目的とする。【解決手段】本発明の半導体素子は、活性領域及び平面視で活性領域を囲む耐圧終端領域が形成された第1導電型のドリフト層と、耐圧終端領域上に形成された樹脂保護膜と、を備え、耐圧終端領域には、ドリフト層の表面に平面視で活性領域を囲む第2導電型の半導体層からなる複数のリング状領域が、隣り合うリング状領域の間のドリフト層であるリング間領域を介して同心状に設けられ、同心状の最内周のリング状領域は活性領域に接し、樹脂保護膜の厚みは、活性領域に接さないリング状領域の幅と当該リング状領域に接するリング間領域の幅との和の最大値を、樹脂保護膜の誘電率の平方根で除した値よりも大きい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

活性領域及び平面視で前記活性領域を囲む耐圧終端領域が形成された第1導電型のドリフト層と、 前記耐圧終端領域上に形成された樹脂保護膜と、 を備え、 前記耐圧終端領域には、前記ドリフト層の表面に平面視で前記活性領域を囲む第2導電型の半導体層からなる複数のリング状領域が、隣り合う前記リング状領域の間の前記ドリフト層であるリング間領域を介して同心状に設けられ、 前記同心状の最内周の前記リング状領域は前記活性領域に接し、 前記樹脂保護膜の厚みは、前記活性領域に接さない前記リング状領域の幅と当該リング状領域に接する前記リング間領域の幅との和の最大値を、前記樹脂保護膜の誘電率の平方根で除した値よりも大きい、 半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/41

FI (8件)：

H01L29/48 E ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/44 Y ,  H01L29/06 301V

Fターム (24件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD78 ,  4M104EE05 ,  4M104EE18 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG13 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第6870201号
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-054152   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-011084   出願人：関西電力株式会社