特許

J-GLOBAL ID：201403039515105580

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 畠山 幸一
出願人/特許権者： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-076597
公開番号（公開出願番号）：特開2014-203868
出願日： 2013年04月02日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：

【課題】接着部材のはみ出しの発生を低減しつつ作業効率の向上を図ることが可能な半導体装置技術を提供する。【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、ダイシングラインによって区画された複数の半導体チップを有する半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハの他面に接着層を貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの前記他面に貼り付けられた前記接着層を、前記ダイシングラインに沿って第1の幅で切断する工程と、前記半導体ウエハを、前記ダイシングラインに沿って前記第1の幅より狭い第2の幅で切断することで、前記複数の半導体チップ毎に個片化する工程とを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ダイシングラインによって区画された複数の半導体チップを有する半導体ウエハを準備する工程と、 前記半導体ウエハの他面に接着層を貼り付ける工程と、 前記半導体ウエハの前記他面に貼り付けられた前記接着層を、前記ダイシングラインに沿って第1の幅で切断する工程と、 前記半導体ウエハを、前記ダイシングラインに沿って前記第1の幅より狭い第2の幅で切断することで、前記複数の半導体チップ毎に個片化する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L21/78 L ,  H01L21/78 F ,  H01L25/08 Z

Fターム (17件)：

5F063AA04 ,  5F063AA16 ,  5F063AA46 ,  5F063BA07 ,  5F063BA11 ,  5F063BA18 ,  5F063BA20 ,  5F063BA21 ,  5F063CA02 ,  5F063CA04 ,  5F063CB03 ,  5F063CB05 ,  5F063CB25 ,  5F063CC25 ,  5F063CC32 ,  5F063DD08 ,  5F063DG06