特許

J-GLOBAL ID：201403039577606462

封止型半導体装置及びその製造方法

発明者： 南尾 匡紀 ,  笹岡 達雄
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人前田特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012002089
公開番号（公開出願番号）：WO2012-137439
出願日： 2012年03月26日
公開日（公表日）： 2012年10月11日
要約：

封止型半導体装置は、第1導電路形成板(1)と、第1導電路形成板に接合された第2導電路形成板(5)と、第1導電路形成板に接着されたパワー素子(12)と、第1導電路形成板に絶縁性放熱シート(13)を介して保持された放熱板(14)と、第1導電路形成板及び第2導電路形成板を封止する封止樹脂体(9)とを備えている。第1導電路形成板の絶縁性放熱シートと接する領域には貫通孔(3)又はリードの隙間(1b)が形成されている。貫通孔又はリードの隙間に絶縁性放熱シートが圧入されている。

請求項（抜粋）：

第1導電路形成板と、 前記第1導電路形成板に接合された第2導電路形成板と、 前記第1導電路形成板に接着された半導体素子と、 前記第1導電路形成板に絶縁シートを介して保持された放熱板と、 前記第1導電路形成板及び前記第2導電路形成板を封止する封止樹脂体と、を備え、 前記第1導電路形成板の前記絶縁シートと接する領域に貫通孔又はリードの隙間が形成され、 前記貫通孔又は前記リードの隙間に前記絶縁シートが圧入された、封止型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L23/36 A ,  H01L25/04 C

Fターム (7件)：

5F136BA30 ,  5F136BB18 ,  5F136BC05 ,  5F136DA07 ,  5F136FA03 ,  5F136GA06 ,  5F136GA21