特許
J-GLOBAL ID:201403039705333296

性能が向上したマイクロボロメータアレイ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森下 賢樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-520616
公開番号(公開出願番号):特表2014-521094
出願日: 2012年07月13日
公開日(公表日): 2014年08月25日
要約:
【解決手段】支持基板とマイクロボロメータピクセル300の配列とを備える、所定のスペクトル帯域の光放射線の熱検出のためのマイクロボロメータアレイにおいて、各マイクロボロメータは支持基板の上方に懸架される膜301を備え、膜は、入射放射線を吸収するための素子305と、吸収素子と熱的に接触して吸収素子から電気的に絶縁される温度測定素子304とから成る。吸収素子が少なくとも1つの第1の金属/絶縁体/金属MIM構造体を備え、MIM構造体は、サブミクロン程度の厚さの3つの重ね合わされる膜、すなわち、第1の金属膜311、誘電体膜310、および第2の金属膜309の多層構造を備え、MIM構造体は、スペクトル帯域の少なくとも1つの波長で入射放射線の共鳴吸収を有することができる。膜301によってカバーされるマイクロボロメータピクセルの面積はマイクロボロメータピクセルの全面積の半分以下である。【選択図】図3A
請求項(抜粋):
支持基板と、所定の寸法のマイクロボロメータピクセル(300)の配列とを備える、所定のスペクトル帯域の光放射線の熱検出のためのマイクロボロメータアレイにおいて、前記各マイクロボロメータピクセルは、 支持要素によって前記支持基板の上方に懸架される膜(301)であって、前記膜は、入射放射線を吸収するための素子(305)と、前記吸収素子と熱的に接触して前記吸収素子から電気的に絶縁される温度測定素子(304)とから成る、膜(301)と、 前記温度測定素子を前記支持基板に電気的に接続するための要素と、 前記温度測定素子と前記支持基板との間に配置される熱的絶縁アーム(306)と、 を備え、 前記吸収素子が少なくとも1つの第1の金属/絶縁体/金属(MIM)構造体を備え、該MIM構造体は、サブミクロン程度の厚さの3つの重ね合わされる膜、すなわち、第1の金属膜(311)、誘電体膜(310)、および、第2の金属膜(309)の多層構造を備え、前記MIM構造体は、前記スペクトル帯域の少なくとも1つの波長で前記入射放射線の共鳴吸収を有することができ、 前記膜(301)によってカバーされる前記マイクロボロメータピクセルの面積は、前記マイクロボロメータピクセルの全面積の半分以下である、 マイクロボロメータアレイ。
IPC (2件):
G01J 1/02 ,  G01J 5/20
FI (2件):
G01J1/02 C ,  G01J5/20 B
Fターム (11件):
2G065AA04 ,  2G065AA11 ,  2G065AB02 ,  2G065BA12 ,  2G065BA34 ,  2G065BB24 ,  2G065BB25 ,  2G065DA18 ,  2G066BA09 ,  2G066BA55 ,  2G066CA02

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