特許
J-GLOBAL ID:201403040189945326
電池システムおよび、非水二次電池の入力制御方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
水野 勝文
, 井出 真
, 須澤 洋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-012021
公開番号(公開出願番号):特開2014-143138
出願日: 2013年01月25日
公開日(公表日): 2014年08月07日
要約:
【課題】電池内部への水分透過を要因とする電池劣化を考慮し、非水二次電池を適切に保護する。【解決手段】電池システムは、非水二次電池の入力を許容する最大の電流値である許容入力電流値を、非水二次電池の劣化状態に応じて低下させながら非水二次電池の入力を制御するコントローラを有する。コントローラは、非水二次電池の充放電履歴に基づく第1劣化度と、非水二次電池内部への水分透過履歴に基づく第2劣化度とに応じて、許容入力電流値を低下させるときの低下率を変更する。非水二次電池内部への水分透過を考慮して電池劣化に応じた許容入力電流値の低下率を変更しているので、過充電を抑制し、非水二次電池を適切に保護することができる。【選択図】図11
請求項(抜粋):
非水二次電池の入力を許容する最大の電流値である許容入力電流値を、前記非水二次電池の劣化状態に応じて低下させながら、前記非水二次電池の入力を制御するコントローラを有し、
前記コントローラは、
前記非水二次電池の充放電履歴に基づく第1劣化度と、前記非水二次電池内部への水分透過履歴に基づく第2劣化度とに応じて、前記許容入力電流値を低下させるときの低下率を変更することを特徴とする電池システム。
IPC (5件):
H01M 10/44
, G01R 31/36
, H01M 10/48
, H02J 7/10
, H02J 7/00
FI (7件):
H01M10/44 Q
, G01R31/36 A
, H01M10/48 P
, H01M10/48 Z
, H02J7/10 H
, H02J7/10 L
, H02J7/00 S
Fターム (29件):
2G016CA03
, 2G016CB00
, 2G016CB05
, 2G016CB06
, 2G016CB07
, 2G016CC01
, 2G016CC03
, 2G016CC04
, 2G016CC07
, 2G016CC10
, 2G016CC12
, 2G016CC20
, 2G016CC23
, 2G016CC26
, 2G016CF06
, 2G016CF07
, 5G503AA01
, 5G503BA01
, 5G503BB02
, 5G503CA01
, 5G503CB13
, 5G503EA08
, 5H030AA01
, 5H030AS08
, 5H030BB01
, 5H030FF22
, 5H030FF42
, 5H030FF43
, 5H030FF44
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