不揮発性記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-199938
公開番号（公開出願番号）：特開2014-056898
出願日： 2012年09月11日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：

【課題】実施形態は、2つのメモリセルストリングに1つのビット線を共有させ、メモリセルへのデータの書き込みおよび読み出し速度を向上させた不揮発性記憶装置を提供する。【課題を解決するための手段】実施形態に係る不揮発性記憶装置は、第1の方向に並設された複数のメモリセルストリングを備える。前記メモリセルストリングは、それぞれが前記第1の方向に直交する第2の方向に延在し、前記第2の方向に並設された複数のメモリセルを含む。さらに、不揮発性記憶装置は、前記複数のメモリセルストリングのうちの隣り合う2つのメモリセルストリングに共有されるビット線と、前記ビット線と前記隣り合う2つのメモリセルストリングのそれぞれとに接続されたコンタクトプラグと、を備え、前記コンタクトプラグはトランジスタ部を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の方向に並設された複数のメモリセルストリングであって、それぞれが前記第1の方向に直交する第2の方向に延在し、前記第2の方向に並設された複数のメモリセルを含む複数のメモリセルストリングと、前記複数のメモリセルストリングのうちの隣り合う2つのメモリセルストリングに共有されるビット線と、前記ビット線と、前記隣り合う2つのメモリセルストリングのそれぞれと、に接続され、トランジスタ部を含むコンタクトプラグと、を備えた不揮発性記憶装置であって、前記トランジスタ部は、前記第1の方向および前記第2の方向に直交する第3の方向に電流を流すチャネルを有し、前記コンタクトプラグは、前記メモリセルストリングに電気的に接続された第1導電形の第1領域と、前記ビット線に電気的に接続された第1導電形の第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間に設けられた第2導電形の第3領域と、を含み、前記第1の方向に延在し、前記コンタクトプラグの前記第3領域にゲート絶縁膜を介して向き合う選択ゲートをさらに備え、前記選択ゲートは、前記メモリセルの上に設けられ前記第1の方向に延在する制御ゲートに並設される不揮発性記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/10

FI (3件)：

H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 481

Fターム (39件)：

5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP76 , 5F083GA01 , 5F083GA03 , 5F083GA09 , 5F083GA27 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA11 , 5F083LA02 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083ZA05 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BD02 , 5F101BD16 , 5F101BD22 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BF08 , 5F101BH21

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