特許
J-GLOBAL ID：201403041075518688
半導体装置、モジュール及び電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-051407
公開番号（公開出願番号）：特開2012-160736
特許番号：特許第5427907号
出願日： 2012年03月08日
公開日（公表日）： 2012年08月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体上方の、第1の導電層と、
前記第1の導電層上方の、第2の導電層と、
前記第2の導電層上方の、第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上方の、第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上方の、第3の導電層と、を有し、
前記第1の導電層は、前記第2の導電層と重ならない第1の領域を有し、
前記第2の絶縁層には、コンタクトホールが設けられ、
前記第3の導電層は、前記コンタクトホールを介して、前記第1の領域と接する第2の領域を有し、
前記第1の導電層の端部におけるテーパー角は、前記第2の導電層の端部におけるテーパー角よりも小さく、
前記第3の導電層は、前記第2の導電層と接しないことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 U
, G02F 1/136
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 616 T
, H01L 29/78 616 V
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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