特許

J-GLOBAL ID：201403041106338985

静電容量型トランスデューサ、及び静電容量型トランスデューサの製造方法

発明者： 香取 篤史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047424
公開番号（公開出願番号）：特開2014-171694
出願日： 2013年03月09日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】送受信素子から周辺回路までの配線長が長くなると、寄生容量や配線抵抗により、送受信特性の劣化が生じるという課題を解決できる静電容量型トランスデューサなどを提供する。【解決手段】音響波の送受信を行う静電容量型トランスデューサは、音響波を送信する駆動動作と音響波を受信する検出動作との少なくとも一方を行う送受信素子100を備えた素子基板110と、配線203、204を備えた絶縁性基板200を有する。絶縁性基板が、素子基板の送受信素子が形成された面の側に配置されており、素子基板と絶縁性基板との間に、素子基板の送受信素子と絶縁性基板の配線との間を電気的に接続する接続部300が配置されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

音響波の送受信を行う静電容量型トランスデューサであって、 音響波を送信する駆動動作と音響波を受信する検出動作との少なくとも一方を行う送受信素子を備えた素子基板と、配線を備えた絶縁性基板を有し、 前記絶縁性基板が、前記素子基板の前記送受信素子が形成された面の側に配置されており、前記素子基板と前記絶縁性基板との間に、前記素子基板の送受信素子と前記絶縁性基板の配線との間を電気的に接続する接続部が配置されていることを特徴する静電容量型トランスデューサ。

IPC (3件)：

A61B 8/00 ,  H04R 19/00 ,  H04R 31/00

FI (3件)：

A61B8/00 ,  H04R19/00 330 ,  H04R31/00 330

Fターム (8件)：

4C601DE16 ,  4C601EE04 ,  4C601GB20 ,  4C601GB41 ,  5D019AA13 ,  5D019DD01 ,  5D019FF04 ,  5D019HH02