特許

J-GLOBAL ID：201403041672884857

Si光集積回路装置及びその製造方法

発明者： 奥村 滋一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 土井 健二 ,  林 恒徳 ,  眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-068931
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192472
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：

【課題】 Si光集積回路装置及びその製造方法に関し、Ge光機能素子と導波路の界面の転位・欠陥の発生を抑制し、各Ge光機能素子の特性及び信頼性を向上させる。【解決手段】 基板表面のi型単結晶Si層にi型Si層で分離された第1のp型Si層及び第2のp型Si層を設け、第1のp型Si層をコンタクト層としてその上にGe層を含む第1の光機能素子部を形成し、第2のp型Si層をコンタクト層としてその上にGe層を含む第2の光機能素子部を形成し、第1の光機能素子部と前記第2の光機能素子部との間をi型Ge層からなる接続導波路部で接続する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも表面がi型単結晶Si層である基板と、 前記i型単結晶Si層に設けられ、i型Si層で分離された第1のp型Si層及び第2のp型Si層と、 前記第1のp型Si層をコンタクト層としてその上に設けられたGe層を含む第1の光機能素子部と、 前記第2のp型Si層をコンタクト層としてその上に設けられたGe層を含む第2の光機能素子部と、 前記第1の光機能素子部と前記第2の光機能素子部との間に設けられたi型Ge層からなる接続導波路部と を有することを特徴とするSi光集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 31/10 ,  H01S 5/50 ,  H01S 5/32 ,  G02B 6/122 ,  G02F 1/025

FI (5件)：

H01L31/10 A ,  H01S5/50 610 ,  H01S5/32 ,  G02B6/12 B ,  G02F1/025

Fターム (38件)：

2H147AB02 ,  2H147AB03 ,  2H147AB04 ,  2H147AB05 ,  2H147AB09 ,  2H147AB10 ,  2H147AC01 ,  2H147BA05 ,  2H147BB02 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147FA09 ,  2H147FB13 ,  2H147FC01 ,  2K102AA20 ,  2K102BA01 ,  2K102BC04 ,  2K102BD01 ,  2K102CA28 ,  2K102DA05 ,  2K102DD03 ,  2K102EA02 ,  2K102EB20 ,  2K102EB29 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049NA13 ,  5F049PA01 ,  5F049SS03 ,  5F173AH37 ,  5F173AP04 ,  5F173AP09 ,  5F173AP13 ,  5F173AP37 ,  5F173AP54 ,  5F173AP63 ,  5F173AR82