SiCエピタキシャルウエハの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-063171
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192163
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：

【課題】本発明は、SiCエピタキシャル層における積層欠陥を低減するSiCエピタキシャルウエハの製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウエハの製造方法は、(a)第1導電型のSiC基板1を準備する工程と、(b)SiC基板1の表面の複数の測定個所1pの不純物濃度を測定する工程と、(c)工程(b)の測定結果から、SiC基板1の不純物濃度の代表値を代表不純物濃度として求める工程と、(d)SiC基板1上に、SiC基板1との界面の不純物濃度が代表不純物濃度以下で、かつ代表不純物濃度との差異が所定値未満であるSiCバッファ層2をエピタキシャル成長により形成する工程と、(e)SiCバッファ層2上にSiCドリフト層3をエピタキシャル成長により形成する工程と、を備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

(a)第1導電型のSiC基板を準備する工程と、 (b)前記SiC基板の表面の複数個所の不純物濃度を測定する工程と、 (c)前記工程(b)の測定結果から、前記SiC基板の不純物濃度の代表値を代表不純物濃度として求める工程と、 (d)前記SiC基板上に、前記SiC基板との界面の不純物濃度が前記代表不純物濃度以下で、かつ前記代表不純物濃度との差異が所定値未満であるSiCバッファ層をエピタキシャル成長により形成する工程と、 (e)前記SiCバッファ層上にSiCドリフト層をエピタキシャル成長により形成する工程と、を備える、 SiCエピタキシャルウエハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , C30B 29/36 , C30B 25/20

FI (4件)：

H01L21/205 , C23C16/42 , C30B29/36 A , C30B25/20

Fターム (42件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077EF03 , 4G077HA12 , 4G077TC13 , 4G077TC16 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK10 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030LA12 , 4K030LA15 , 4K030LA16 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AF02 , 5F045AF16 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CB02 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DA59 , 5F045DA67 , 5F045GH03 , 5F045HA04

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