特許

J-GLOBAL ID：201403042305838683

薄膜型チップ素子およびその製造方法

発明者： イ・サン・ムン ,  ペ・チョン・ヒ ,  ウィ・スン・グォン ,  キム・ヨン・スク
出願人/特許権者： サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド.
代理人 (2件)： 加藤 公延 ,  福川 晋矢
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-239712
公開番号（公開出願番号）：特開2014-107559
出願日： 2013年11月20日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
要約：

【課題】透磁率およびインピーダンス特性が向上し、良い外観を維持できる薄膜型チップ素子を提供する。【解決手段】薄膜型チップ素子100は、基板110と、基板上に形成されたコイルパターン120と、コイルパターンの一部を露出させるキャビティを有するキャビティ定義パターン130と、キャビティに充填された充填層、および充填層の表面を覆う表面層を有する磁性層140を含む。前記充填層は前記表面層と隣接する表面に形成されたポア(pore)を有し、前記表面層は前記ポアを充填する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成されたコイルパターンと、 前記コイルパターンの一部を露出させるキャビティを定義するキャビティ定義パターンと、 前記キャビティに充填された充填層、および 前記充填層の表面を覆う表面層を含む薄膜型チップ素子。

IPC (4件)：

H01F 17/04 ,  H01F 17/00 ,  H01F 27/29 ,  H01F 41/04

FI (4件)：

H01F17/04 F ,  H01F17/00 D ,  H01F15/10 C ,  H01F41/04 C

Fターム (10件)：

5E062DD01 ,  5E062FF01 ,  5E070AA01 ,  5E070AB02 ,  5E070AB03 ,  5E070BA11 ,  5E070BB03 ,  5E070CB13 ,  5E070DA13 ,  5E070EA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電子部品及び電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-261740   出願人：TDK株式会社
• インダクタ及びインダクタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-152405   出願人：シチズン電子株式会社
• 巻線型電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-237691   出願人：太陽誘電株式会社