特許

J-GLOBAL ID：201403042492985589

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及び当該酸化物半導体薄膜を備える薄膜トランジスタ

発明者： 但馬 望 ,  江端 一晃
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-093897
公開番号（公開出願番号）：特開2014-214359
出願日： 2013年04月26日
公開日（公表日）： 2014年11月17日
要約：

【課題】高密度なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物からなり、InGaO3(ZnO)m又はInAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10)で表されるホモロガス構造化合物を1以上、及びZnAl2O4又はZnGa2O4で表されるスピネル構造化合物を1以上含むスパッタリングターゲット。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物からなり、 InGaO3(ZnO)m又はInAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10)で表されるホモロガス構造化合物を1以上、及びZnAl2O4又はZnGa2O4で表されるスピネル構造化合物を1以上含むスパッタリングターゲット。

IPC (7件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  C04B 35/00 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C04B 35/453

FI (8件)：

C23C14/34 A ,  C23C14/08 K ,  C04B35/00 J ,  H01L21/363 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618A ,  C04B35/00 P

Fターム (77件)：

4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA11 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC16 ,  4K029EA05 ,  4K029EA09 ,  4K029GA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL07 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN39 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ14