特許

J-GLOBAL ID：201403042699421197

シリコン基板の加工方法

発明者： 真鍋 貴信 ,  藤井 謙児 ,  千田 充 ,  渡辺 誠 ,  黒須 敏明 ,  永井 正隆
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-236665
公開番号（公開出願番号）：特開2014-083823
出願日： 2012年10月26日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：

【課題】レーザー加工時の加工精度バラツキの影響を抑え、貫通孔を精度よく形成する。【解決手段】本発明の一態様は、第一の面及び該第一の面と反対側の第二の面を有するシリコン基板にレーザー光の照射によって変質部を形成してから異方性エッチングを行って凹部を形成するシリコン基板の加工方法であって、前記レーザー光の照射領域となる開口部を有するレーザーストップ層を前記第二の面に形成する工程と、前記第二の面側から前記レーザーストップ層の開口部に前記レーザー光を照射して、前記シリコン基板に変質部を形成する工程と、前記変質部が形成された前記シリコン基板に前記第二の面から前記第一の面に向けて前記異方性エッチングを施して前記凹部を形成する工程と、を有することを特徴とするシリコン基板の加工方法である。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第一の面及び該第一の面と反対側の第二の面を有するシリコン基板にレーザー光の照射によって変質部を形成してから異方性エッチングを行って凹部を形成するシリコン基板の加工方法であって、 前記レーザー光の照射領域となる開口部を有するレーザーストップ層を前記第二の面に金属材料を用いて形成する工程と、 前記第二の面側から前記レーザーストップ層の開口部に前記レーザー光を照射して、前記シリコン基板に変質部を形成する工程と、 前記変質部が形成された前記シリコン基板に前記第二の面から前記第一の面に向けて前記異方性エッチングを施して前記凹部を形成する工程と、 を有することを特徴とするシリコン基板の加工方法。

IPC (1件)：

B41J 2/16

FI (1件)：

B41J3/04 103H

Fターム (5件)：

2C057AF93 ,  2C057AP23 ,  2C057AP34 ,  2C057BA04 ,  2C057BA13