特許
J-GLOBAL ID：201403043150073525
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮崎 昭夫
, 緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-272070
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120501
出願日： 2012年12月13日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：
【課題】伝送線路の特性インピーダンスZ0の最大値を小さくし、反射ノイズの低減を図り、動作信頼性を向上する。【解決手段】一面に接続パッド6aを有する半導体素子6と、半導体素子6に対して前記一面とは反対側に配置された第1配線層11であって、接続パッド6aに配線16を介して電気的に接続されるパッド13と、パッド13から延ばされた冗長配線14とを有する第1配線層11と、一端が冗長配線14に接続された冗長貫通電極15と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一面に接続パッドを有する半導体素子と、
前記半導体素子に対して前記一面とは反対側に配置された第1配線層であって、前記接続パッドに接続線材を介して電気的に接続される接続端部と、前記接続端部から延ばされた冗長配線とを有する第1配線層と、
一端が前記冗長配線に接続された冗長貫通電極と、
を備える半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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