特許
J-GLOBAL ID：201403043243528298
電界によりパターン及び構造形成を制御する方法及びデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-524032
公開番号（公開出願番号）：特表2014-532111
出願日： 2012年07月31日
公開日（公表日）： 2014年12月04日
要約：
処理方法及び装置が、バイアスをかけられた少なくとも1つの電界アプリケータ(34)を使用して時間空間的な電界を作り出して、媒体(26)又は粒子の双極子特性を相互作用させて処理中に処理媒体(26)、浮遊するナノオブジェクト(28)、又は基板(30)に影響を与え、基板(30)の上に構造を構築する。上記の装置は、磁界、音場、光学力、又は他の生成デバイスを含んでよい。上記の処理は、基板(30)の上の選択的な局所的なレイヤに影響を与えることができ、あるいは、レイヤの中の粒子の方向付けを制御すること、誘電泳動粒子又は媒体の運動を制御すること、又は種々の特性の浮遊する粒子に処理媒体(26)の中の種々の経路へ進ませることができる。基板(30)の上にレイヤを堆積させ、又は変更することを実施できる。さらに、処理媒体(26)及び電気的バイアスを、基板(30)を第2の基板へ接着するために基板(30)の上に少なくとも1つのレイヤを整えるように、あるいは基板の上に、制御された方向付けを有するカーボン・ナノチューブ(CNT)を堆積させるように、選択することができる。
請求項（抜粋）：
基板の処理中に電界による影響を受ける処理媒体を受容するように構成された処理チャンバと、
前記のチャンバ内で処理すべき基板を保持する基板保持部と、
処理中に、前記基板を、非一様な、時間空間的な電界にさらすように動作可能な少なくとも1つの電界アプリケータであって、前記電界アプリケータが電気的バイアスによって電気的に活性化されて、前記処理媒体が前記電界の存在下において双極性になるときに前記電界が前記処理媒体に影響を与える能力がある、電界アプリケータと、
前記少なくとも1つの電界アプリケータに時間変化する電気的バイアスを結合して、それにより前記電界アプリケータを活性化して前記処理媒体又はその中の粒子の双極性特性と相互作用するように動作可能な分布結合ユニットであって、前記処理媒体又はその中の粒子は前記電界による影響を受ける、分布結合ユニットと、
時間及び前記基板に対する位置の関数として変化する電界である時間空間的な電界であって、前記関数は、前記基板の処理における、又は前記基板の上の前記処理媒体又は粒子に対して、移動、整合、又は他の影響を与えることに有効である、時間空間的な電界と、
を含む、処理装置。
IPC (4件)：
C23C 16/503
, H01L 21/265
, H01L 21/306
, H01L 21/205
C23C16/503
, H01L21/265 F
, H01L21/306 Z
, H01L21/205
4K030BA27
, 4K030BB01
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA04
, 4K030FA14
, 4K030HA07
, 4K030JA14
, 4K030KA15
, 4K030KA41
, 5F043AA02
, 5F043AA40
, 5F043BB30
, 5F043DD04
, 5F043DD14
, 5F043DD30
, 5F043EE40
, 5F045AA08
, 5F045AA11
, 5F045AB40
, 5F045BB17
, 5F045EH14
, 5F045EH20
, 5F045GB15
