特許
J-GLOBAL ID：201403043293051603
ハーフトーン型位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-244577
公開番号（公開出願番号）：特開2014-092746
出願日： 2012年11月06日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
要約：
【課題】シールリングを形成する際に、サイドローブによるディンプルが形成されるのを抑制するハーフトーン型位相シフトマスクとその製造方法等を提供する。【解決手段】まず、シールリングパターン、基本補助パターンセルおよびピッチ調整用補助パターンセルの設計データが準備される。次に、シールリングの一方のコーナーに配置された基本補助パターンセルと、他方のコーナーに配置された基本補助パターンセルとの間隔に基づいて、基本補助パターンセルを配置することができない余剰スペースの長さが算出される。次に、余剰スペースの長さに基づいて、シールリングに沿って基本補助パターンセルとピッチ調整用補助パターンセルとが隙間なく敷き詰められた配置設計データが求められる。その配置設計データに基づいて、ハーフトーン型位相シフトマスクが製造される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の表面を覆うハーフトーン膜に形成され、前記基板の表面を露出する解像開口パターンと、
前記解像開口パターンの側方に前記解像開口パターンに沿って配置され、前記基板の表面を露出する解像限界以下の複数の非解像開口パターンと
を備え、
複数の前記非解像開口パターンのそれぞれは、互いに隣り合う一の非解像開口パターンと他の非解像開口パターンとのピッチが、光学条件に基づいて、前記一の非解像開口パターンと前記他の非解像開口パターンとの間に対応する部分を解像させない所定のピッチに設定され、
前記解像開口パターンの側方における第1起点と、前記第1起点とは距離を隔てられた第2起点との間の区間のうち、所定の区間を除いた残りの区間では、複数の前記非解像開口パターンは、前記非解像開口パターンを前記所定のピッチとしての基本ピッチをもって配置するための、前記基本ピッチに相当する長さを有する、前記非解像開口パターンを取り囲む基本補助パターンセルを、隙間なく敷き詰める態様で配置され、
前記所定の区間では、複数の前記非解像開口パターンは、前記非解像開口パターンを前記基本ピッチとは異なる前記所定のピッチとしての調整用ピッチをもって配置するための、前記調整用ピッチに相当する長さを有する、前記非解像開口パターンを取り囲むピッチ調整用補助パターンセルを、隙間なく敷き詰める態様で配置された、ハーフトーン型位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
2H095BB02
, 2H095BB03
, 2H095BB36
, 2H095BE03
