特許

J-GLOBAL ID：201403043454189368

太陽電池およびその製造方法

発明者： 山口 浩一
出願人/特許権者： 国立大学法人電気通信大学
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-183287
公開番号（公開出願番号）：特開2014-041913
出願日： 2012年08月22日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：

【課題】 量子効率の向上とキャリアの長寿命化を実現する太陽電池を提供する。【解決手段】 太陽電池は、第1の導電型の半導体層と、第2の導電型の半導体層と、前記第1及び第2の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域とを含み、前記半導体領域は、前記第1の導電型の半導体層に隣接する第1半導体層と、前記第1半導体上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され面内密度が3.0×1011cm-2〜5×1011cm-2、高さが1.5〜2.0nmである量子ドットとを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体層と、 第2の導電型の半導体層と、 前記第1及び第2の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域と、 を含み、 前記半導体領域は、 前記第1の導電型の半導体層に隣接する第1半導体層と、 前記第1半導体層上に形成される量子ドット層を含み、 前記量子ドット層は、第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され面内密度が3.0×1011cm-2〜5×1011cm-2、高さが1.5〜2.0nmである量子ドットとを含むことを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (5件)：

5F151AA08 ,  5F151CB08 ,  5F151DA13 ,  5F151FA02 ,  5F151GA04