金属単結晶薄膜の製造方法、光学デバイスの製造方法及び光学デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川護晃
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-068695
公開番号（公開出願番号）：特開2014-190932
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：

【課題】高純度で平坦性に優れた金属単結晶薄膜をドライプロセスにより製造する。【解決手段】ドライプロセスにより、単結晶基板1の平滑面上に金属犠牲層4を介して金属単結晶薄膜5を形成する工程と、前記金属単結晶薄膜5を覆って樹脂液を塗布し、支持層6を形成する工程と、前記金属犠牲層4をエッチングして除去し、前記金属単結晶薄膜5を前記単結晶基板1から剥離する工程と、を含むものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドライプロセスにより、単結晶基板の平滑面上に金属犠牲層を介して金属単結晶薄膜を形成する工程と、前記金属単結晶薄膜を覆って樹脂液を塗布し、支持層を形成する工程と、前記金属犠牲層をエッチングして除去し、前記金属単結晶薄膜を前記単結晶基板から剥離する工程と、を含むことを特徴とする金属単結晶薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

G01N 21/41 , C30B 29/02 , C23C 14/14

FI (5件)：

G01N21/41 101 , C30B29/02 , C23C14/14 G , C23C14/14 B , C23C14/14 D

Fターム (22件)：

2G059AA03 , 2G059EE02 , 2G059JJ01 , 4G077AA03 , 4G077BA01 , 4G077DA01 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077FJ03 , 4G077HA01 , 4G077SA04 , 4G077SB01 , 4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA03 , 4K029BA04 , 4K029BB02 , 4K029BB09 , 4K029BC07 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC34

引用特許：

審査官引用 (5件)

金属薄膜つきプリズム及びそれを用いた分光分析装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-265219 出願人：キヤノン株式会社
薄膜電極の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-012113 出願人：国立大学法人長岡技術科学大学
特開昭52-136865

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