特許

J-GLOBAL ID：201403043831094300

額縁発生抑制方法及び額縁発生抑制装置

発明者： 池田 克広 ,  坂井 光広 ,  梶原 拓伸 ,  緒方 庸元 ,  姫野 和臣
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-221216
公開番号（公開出願番号）：特開2014-073438
出願日： 2012年10月03日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：

【課題】基板上に形成された塗布膜の周縁部に乾燥の過程で額縁が発生するのを簡便かつ効率よく抑制して、乾燥後の塗布膜の膜厚均一性を向上させること。【解決手段】この額縁発生抑制処理においては、換気中の赤外線照射室内で基板G上の液相状態の塗布膜RMの各部から溶剤が蒸発する中で、塗布膜の中心部よりも外気に接する表面積が大きい周縁部の方が溶剤の蒸発速度が高いことによって塗布膜RM内で中心部から周縁部に向かう液の流れが生じる一方で、塗布膜RMの周縁部に対する局所的な赤外線照射により塗布膜RMの中心部と周縁部との間に一定の温度差がつけられる。これによって、塗布膜RMの中心部と周縁部との間で表面張力が均衡して、塗布膜RMの額縁現象が防止ないし抑制される。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

基板上に一面に形成された薬液の塗布膜においてその周縁部が乾燥の過程で高く盛り上がる額縁現象を抑制するための額縁発生抑制方法であって、 前記基板上に薬液の塗布膜が形成された直後に、前記塗布膜の周縁部と中心部との間に前者の温度が後者の温度よりも高い一定の温度差をつけて、前記塗布膜を一定の段階まで乾燥させる額縁発生抑制方法。

IPC (6件)：

B05D 3/00 ,  B05D 3/02 ,  B05C 9/14 ,  B05C 13/02 ,  F26B 3/30 ,  F26B 3/04

FI (6件)：

B05D3/00 F ,  B05D3/02 Z ,  B05C9/14 ,  B05C13/02 ,  F26B3/30 ,  F26B3/04

Fターム (29件)：

3L113AA01 ,  3L113AB02 ,  3L113AC10 ,  3L113AC67 ,  3L113AC75 ,  3L113AC76 ,  3L113BA26 ,  3L113DA11 ,  4D075BB24Z ,  4D075BB37Z ,  4D075BB92Z ,  4D075BB93Z ,  4D075BB94Z ,  4D075CA48 ,  4D075DC22 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4F042AA02 ,  4F042AA06 ,  4F042AB00 ,  4F042BA08 ,  4F042BA14 ,  4F042BA20 ,  4F042BA25 ,  4F042DB17 ,  4F042DB18 ,  4F042DB20 ,  4F042DC01 ,  4F042DF05