特許

J-GLOBAL ID：201403043986983410

発光装置、及び発光装置の製造方法

発明者： 若村 紗友里 ,  児玉 正明 ,  舩木 毅 ,  坂本 泰宏 ,  酒井 啓至
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-237193
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086694
出願日： 2012年10月26日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：

【課題】高密度に実装された複数の発光素子を互いに異なる波長変換材料を含有する2種類の封止樹脂にて封止する場合に、クロストーク量を抑制し得る発光装置、及び発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】LED発光装置(10A)は、基板(1)と、基板(1)に実装された複数のLEDチップ(2)と、複数のLEDチップ(2)を封止すべく互いに異なる波長変換材料が含有された第1封止樹脂(6)及び第2封止樹脂(7)とを備えている。第1封止樹脂(6)と第2封止樹脂(7)とは、互いに異なる複数のLEDチップ(2)にそれぞれ直接接触して少なくとも該複数のLEDチップ2をそれぞれ封止している。少なくとも第1封止樹脂(6)と基板(1)との接触角(θ)が65度以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、上記基板に実装された複数の発光素子と、上記複数の発光素子を封止すべく互いに異なる波長変換材料が含有された第1封止樹脂及び第2封止樹脂とを備えた発光装置において、 上記第1封止樹脂と上記第2封止樹脂とは、互いに異なる複数の発光素子にそれぞれ直接接触して少なくとも該複数の発光素子を封止していると共に、 少なくとも上記第1封止樹脂と基板との接触角が65度以下であることを特徴とする発光装置。

IPC (3件)：

H01L 33/50 ,  H01L 33/54 ,  F21V 5/00

FI (4件)：

H01L33/00 410 ,  H01L33/00 422 ,  F21V5/00 510 ,  F21V5/00 630

Fターム (25件)：

5F142AA01 ,  5F142AA24 ,  5F142BA32 ,  5F142CA02 ,  5F142CB12 ,  5F142CB17 ,  5F142CD02 ,  5F142CD13 ,  5F142CD16 ,  5F142CD18 ,  5F142CE03 ,  5F142CE16 ,  5F142CG03 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142CG22 ,  5F142CG26 ,  5F142CG32 ,  5F142CG45 ,  5F142DA12 ,  5F142DA22 ,  5F142FA18 ,  5F142GA21 ,  5F142HA01 ,  5F142HA05