特許
J-GLOBAL ID：201403044181292922

気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者：
岩本 亮輔

岩本 亮輔 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 張川 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-207566
公開番号（公開出願番号）：特開2014-063855
出願日： 2012年09月20日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
要約：
【課題】堤部材でのガス流ムラを効果的に低減することができ、ひいては良好な膜厚分布を確保できる気相成長装置を提供する。【解決手段】気相成長装置1は、半導体基板Wを回転保持するサセプタ12を取り囲むとともに、上面がサセプタ12の上面12aと一致する位置関係にて配置された堤部材23を有する。第一端部31からサセプタ12の回転軸線Oと直交して第二端部32に至る原料ガスの流れ方向に沿った仮想的な中心線を水平基準線HSLとしたとき、堤部材23の外周面23bに形成されたガス受入領域60は、水平基準線HSLを中心として対称形を形成し、該対称形の片側において堤部材23の周方向に沿って隣接する7段以上30段以下に分割され区分されたガス受入凹部70を有する。ガス受入凹部70は、幅方向WLにおける中央位置が両縁位置よりもガス排出口36側に引っ込んだ凹状の外形線を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面に半導体薄膜を気相成長させる気相成長装置であって、水平方向における第一端部側にガス導入口が形成され、同じく第二端部側にガス排出口が形成された反応容器本体を有し、半導体薄膜形成のための原料ガスが前記ガス導入口から前記反応容器本体内に導入され、該反応容器本体の内部空間にて略水平に回転保持される前記半導体基板の前記主表面に沿って前記原料ガスが流れた後、前記ガス排出口から排出されるように構成され、前記内部空間内にて回転駆動される円盤状のサセプタ上に前記半導体基板が配置される一方、前記サセプタを取り囲むとともに、上面が該サセプタの上面と一致する位置関係にて堤部材が配置され、さらに、前記ガス導入口は前記堤部材の外周面に対向する形にて開口し、該ガス導入口からの前記原料ガスが、前記堤部材の外周面に形成されたガス受入領域に当たって上面側に乗り上げた後、前記サセプタ上の前記半導体基板の主表面に沿って流れるように構成された気相成長装置において、 前記反応容器本体の前記第一端部から前記サセプタの回転軸線と直交して前記第二端部に至る前記原料ガスの流れ方向に沿った仮想的な中心線を水平基準線としたとき、 前記ガス受入領域は、前記水平基準線を中心として対称形を形成し、該対称形の片側において前記堤部材の周方向に沿って隣接する7段以上30段以下に分割され区分された分割構造を有することを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/455
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455
Fターム (32件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA01 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045EB15 ,  5F045EF01 ,  5F045EF08 ,  5F045EK12 ,  5F045EK14
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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