特許

J-GLOBAL ID：201403044439870675

半導体装置およびその製造方法

発明者： 荒木 康弘
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-193012
公開番号（公開出願番号）：特開2014-049671
出願日： 2012年09月03日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
要約：

【課題】転送トランジスタの転送特性を低下させることなく、より確実に半導体装置のS/N比を高める。【解決手段】主表面を有する半導体基板SUBと、受光素子PDと、増幅トランジスタAMIと、転送トランジスタTMIと、受光素子上の絶縁膜DGIとを備える。受光素子PDの絶縁膜DGIは、受光素子PDの真上の主表面上に形成されている。転送トランジスタTMIの絶縁膜TGIに比べて、増幅トランジスタAMIの絶縁膜AGIおよび受光素子上の絶縁膜DGIの少なくともいずれかが薄い。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、 前記半導体基板内に形成された、光電変換を行なうための受光素子と、 前記主表面上に形成された増幅トランジスタのゲート電極と前記増幅トランジスタのゲート電極および前記主表面の間に形成された増幅トランジスタの絶縁膜とを含む、信号電荷を増幅するための増幅トランジスタと、 前記受光素子の一部をソース領域として含み、かつ前記主表面上に形成された転送トランジスタのゲート電極と前記転送トランジスタのゲート電極および前記主表面の間に形成された転送トランジスタの絶縁膜とを含む、前記受光素子において蓄積された前記信号電荷を前記増幅トランジスタに転送するための転送トランジスタと、 前記受光素子の真上の前記主表面上に形成された受光素子上の絶縁膜とを備え、 前記転送トランジスタの絶縁膜に比べて、前記増幅トランジスタの絶縁膜および前記受光素子上の絶縁膜の少なくともいずれかが薄い、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/369

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 690

Fターム (19件)：

4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA34 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY39