特許
J-GLOBAL ID：201403045058034036

P型半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置

発明者：
佐藤 久子

佐藤 久子 について

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田村 堅志

田村 堅志 について

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山岸 晧彦

山岸 晧彦 について


出願人/特許権者：
国立大学法人愛媛大学

国立大学法人愛媛大学 について

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独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


代理人 (2件)： 片山 修平 ,  横山 照夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-041036
公開番号（公開出願番号）：特開2011-173777
特許番号：特許第5476157号
出願日： 2010年02月25日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板上に形成された半導体層に含まれるP型半導体材料であって、 LiおよびMgを含む複合層と水分子層とを備えるヘクトライトを水中に分散することにより剥離させ、キャスト法またはラングミュア-ブロジェット法により前記基板上に前記複合層の表面が露出するように形成され、脱水処理されたヘクトライト層を有し、 前記複合層の表面に酸素が吸着されていることを特徴とするP型半導体材料。
IPC (4件)：
C01B 33/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01)
FI (3件)：
C01B 33/40 ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/91 F
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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