特許
J-GLOBAL ID：201403045624733397
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
筒井 大和
, 菅田 篤志
, 筒井 章子
, 坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-198270
公開番号（公開出願番号）：特開2014-050871
出願日： 2012年09月10日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：
【課題】半導体装置の信頼性の向上を図る。【解決手段】融点が異なる2つの半田層(第1半田層2a、第2半田層2b)を貼り合わせて2層半田箔(半田箔2)を形成し、この2層半田箔のうち融点が低い半田層をウエハ側にして2層半田箔と半導体ウエハを貼り合わせてステージ上に配置し、2層半田箔と半導体ウエハを、異なる融点の間の温度で加熱・加圧する。これにより、融点が低いウエハ側の半田層のみが溶融して接着材となるため、2層半田箔(半田箔2)を半導体ウエハに貼り付けることができ、さらにダイシングを行って取得した半田箔付きの半導体チップ1を用いて2つの半田層のそれぞれの融点よりも高い温度でダイボンディングを行うことで、2つの半田層が溶融して成る半田材を介して半導体チップ1をダイボンディングできる。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
(a)主面および前記主面と反対側の裏面を有し、前記主面に複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを準備する工程と、
(b)第1半田層と、前記第1半田層に積層された第2半田層とから成る半田箔を準備する工程と、
(c)前記半導体ウエハの前記裏面側に前記半田箔を重ね合わせて、加熱可能な第1ステージ上に配置する工程と、
(d)重ね合わせた前記半導体ウエハと前記半田箔を、前記第1ステージと前記第1ステージに対向して配置された第2ステージとにより加圧および加熱して、前記半導体ウエハと前記半田箔を貼り付ける工程と、
を有し、
前記第2半田層の融点は前記第1半田層の融点より低く、前記(c)工程では、前記第2半田層を前記半導体ウエハ側に配置して前記半導体ウエハと前記半田箔を前記第1ステージ上に配置し、
前記(d)工程では、前記第1半田層の融点と前記第2半田層の融点の間の第1温度で前記半田箔を加熱する半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
B23K 1/20
, H01L 21/301
, H01L 21/52
, B23K 1/00
, B23K 3/06
B23K1/20 J
, H01L21/78 Q
, H01L21/52 G
, B23K1/00 330E
, B23K3/06 P
5F047AA11
, 5F047BA05
, 5F047BB05
, 5F047BB19
