特許

J-GLOBAL ID：201403045820243659

半導体装置実装用ペースト

発明者： 熊澤 光章 ,  小柳 嗣雄
出願人/特許権者： 日揮触媒化成株式会社
代理人 (1件)： 石田 政久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-281485
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127520
出願日： 2012年12月25日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：

【課題】流動性に優れ、樹脂への分散性に優れた半導体装置実装用ペ-ストの提供。【解決手段】表面処理シリカ系微粒子および/または表面処理アルミナ系微粒子と樹脂とからなる。表面処理シリカ系微粒子および表面処理アルミナ系微粒子は、平均粒子径が50〜5,000nmの範囲にあり、下記式(1)で表されるホスホン酸誘導体で表面処理されている。R-CmX2m-PO・(OH)2・・・・・(1)(但し、Rは置換炭化水素基であり、置換基がフッ素、水酸基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、アクリル基、メタクリル基、芳香族官能基またはこれらを含む誘導体の少なくとも1種であり、mは1〜20の整数)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

表面処理シリカ系微粒子および/または表面処理アルミナ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペーストであって、該表面処理シリカ系微粒子の平均粒子径(DS)が50〜5,000nmの範囲にあり、該表面処理アルミナ系微粒子の平均粒子径(DA)が50〜5,000nmの範囲にあり、表面処理シリカ系微粒子および/または表面処理アルミナ系微粒子が下記式(1)で表されるホスホン酸誘導体で表面処理されていることを特徴とする半導体装置実装用ペースト。 R-CmX2m-PO・(OH)2・・・・・(1) (但し、Rは置換炭化水素基であり、置換基がフッ素、水酸基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、アクリル基、メタクリル基、芳香族官能基またはこれらを含む誘導体の少なくとも1種であり、mは1〜20の整数)

IPC (5件)：

H01L 21/52 ,  C09J 201/00 ,  C01B 33/18 ,  C01F 7/02 ,  C09J 11/02

FI (5件)：

H01L21/52 E ,  C09J201/00 ,  C01B33/18 C ,  C01F7/02 E ,  C09J11/02

Fターム (40件)：

4G072AA41 ,  4G072BB05 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072GG02 ,  4G072HH21 ,  4G072HH30 ,  4G072LL06 ,  4G072PP02 ,  4G072QQ06 ,  4G072TT01 ,  4G072UU07 ,  4G076AA02 ,  4G076BA46 ,  4G076BF06 ,  4G076CA02 ,  4G076CA15 ,  4G076CA26 ,  4G076CA36 ,  4G076DA30 ,  4G076FA02 ,  4J040DF001 ,  4J040DF002 ,  4J040EC001 ,  4J040EC002 ,  4J040EH021 ,  4J040EH022 ,  4J040EH031 ,  4J040EH032 ,  4J040EK001 ,  4J040EK002 ,  4J040HA306 ,  4J040NA20 ,  5F047AA17 ,  5F047BA34 ,  5F047BA40 ,  5F047BA54 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16