半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、コンピュータシステム及び半導体集積回路の制御方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：机昌彦 , 下坂直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-101822
公開番号（公開出願番号）：特開2014-222425
出願日： 2013年05月14日
公開日（公表日）： 2014年11月27日
要約：

【課題】予期せずにシステムが電源供給停止状態になった場合であっても、正常にシステムの動作を再開することが可能な半導体集積回路を提供する。【解決手段】揮発性データを保持する保持回路と、不揮発性データを保持する不揮発素子と、を含む少なくとも一つの不揮発レジスタと、不揮発レジスタの内部における揮発性データと不揮発性データとの一致・不一致の状態として、一致するならば第1の値を保持し、不一致ならば第2の値を保持する記憶領域を有する不揮発性メモリと、不揮発性メモリの不揮発レジスタの内部における一致・不一致の状態をモニターし、不揮発性メモリの状態に応じた信号を出力する監視回路と、監視回路からの信号を内部演算装置又は外部装置に出力するノードと、を備え、電源立ち上げ動作時において、不揮発性メモリが第2の値を保持する場合に、監視回路がノードにアクティブな信号を供給する半導体集積回路とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

揮発性データを保持する保持回路と、不揮発性データを保持する不揮発素子と、を含む少なくとも一つの不揮発レジスタと、前記不揮発レジスタの内部における前記揮発性データと前記不揮発性データとの一致・不一致の状態として、一致するならば第1の値を保持し、不一致ならば第2の値を保持する記憶領域を有する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリの後段に設けられ、前記不揮発レジスタの内部における前記一致・不一致の状態をモニターし、前記不揮発性メモリの状態に応じた信号を出力する監視回路と、前記監視回路から供給された信号を内部演算装置又は外部装置に出力するノードと、を備え、電源立ち上げ動作時において、前記不揮発性メモリが前記第2の値を保持する場合、前記監視回路が前記ノードにアクティブな信号を供給することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (10件)：

G06F 1/30 , G06F 1/32 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 45/00 , H03K 3/037 , H03K 3/356 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (8件)：

G06F1/00 341M , G06F1/00 332A , H01L27/04 F , H01L45/00 A , H03K3/037 Z , H03K3/356 B , H01L43/08 Z , H01L27/10 447

Fターム (49件)：

4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119CC10 , 4M119DD05 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD47 , 4M119KK05 , 5B011EA08 , 5B011EA09 , 5B011JA04 , 5B011LL01 , 5F038AV01 , 5F038AV17 , 5F038CD02 , 5F038CD06 , 5F038DF01 , 5F038DF04 , 5F038DF05 , 5F038DF08 , 5F038DF14 , 5F038DF17 , 5F038DT12 , 5F038DT17 , 5F038DT18 , 5F038DT19 , 5F038EZ08 , 5F038EZ20 , 5F092AB06 , 5F092AB10 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092AD26 , 5F092BC03 , 5F092BC42 , 5F092BC43 , 5J034AB02 , 5J034AB03 , 5J034AB04 , 5J034AB15 , 5J034CB01 , 5J043AA02 , 5J043AA03 , 5J043AA04 , 5J043AA08 , 5J043EE01 , 5J043HH01 , 5J043JJ10

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