特許
J-GLOBAL ID：201403045946961450
イオンビーム装置および不純物ガスの除去方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 学
, 戸田 裕二
, 岩崎 重美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-016323
公開番号（公開出願番号）：特開2014-149919
出願日： 2013年01月31日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
要約：
【課題】ガス電界電離イオン源のエミッタティップを高温加熱下においたとき、ガスイオン化室の最低温部から放出される不純物ガスを減らし、ナノメートルオーダーのピラミッド型構造が形成できるイオンビーム装置を提供する。【解決手段】エミッタティップ1を冷却するための冷却機構60を有するガス電界電離イオン源において、ガスイオン化室6内の最低温部を昇温する昇温機構62を設ける。エミッタティップを高温に加熱してナノメートルオーダのピラミッド型構造を形成する前に、この昇温機構により最低温部を5K以上昇温させて不純物ガスを放出させ、イオン源真空排気用ポンプ9で外部に排出する。ピラミッド型構造を形成するときに、高温に加熱されたエミッタティップから熱が伝わって最低温部が温度上昇するが、最低温部から放出される不純物ガスが微量となるので、ピラミッド型構造の形成が阻害されなくなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガス電界電離イオン源から発生するイオンビームを試料に照射するイオンビーム装置において、
前記ガス電界電離イオン源が、
陽極となるエミッタティップと、
陰極となる引出電極と、
少なくとも前記エミッタティップを収容する真空容器と、
前記エミッタティップの先端部と前記引出電極との間の空間にガス導入口を通してガスを供給するガス導入部と、
ガス排気口を通して真空ポンプによって前記ガスを排気するガス排気部と、
前記ガス電界電離イオン源を冷却するための冷却機構と、
前記冷却機構により冷却された最低温部を昇温できる昇温機構と、
を備えることを特徴とするイオンビーム装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (1件)：
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