特許
J-GLOBAL ID:201403046032569132
導電性粒子、導電性粒子の製造方法、異方性導電材料及び接続構造体
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2012054050
公開番号(公開出願番号):WO2012-115076
出願日: 2012年02月21日
公開日(公表日): 2012年08月30日
要約:
過酷な条件に晒されても、電極間の導通を良好に維持するとともに、接続構造体における不測の誤動作をも抑制する導電性粒子及び導電性粒子の製造方法を提供する。 本発明に係る導電性粒子1は、基材粒子2と、該基材粒子2の表面上に設けられた導電層3を備える。導電層3は、基材粒子2の表面上に設けられたニッケル層11を有する。ニッケル層11全体におけるアルカリ金属の含有量は0μg/gを超える。ニッケル層11の外表面の厚み30nmの領域におけるアルカリ金属の含有量は、80μg/g以下である。本発明に係る導電性粒子の製造方法では、無電解めっき反応終了時の上記無電解めっき液中のアルカリ金属イオン濃度(mol/L)が、上記無電解めっき液中のニッケルイオン濃度(mol/L)の4倍以下であるときに、無電解めっき反応を終了させて、導電性粒子1を得る。
請求項(抜粋):
基材粒子と導電層とを備え、
前記導電層が、前記基材粒子の表面上に設けられたニッケル層を有し、
前記ニッケル層全体におけるアルカリ金属の含有量が0μg/gを超え、かつ
前記ニッケル層の外表面の厚み30nmの領域におけるアルカリ金属の含有量が、80μg/g以下である、導電性粒子。
IPC (9件):
H01B 5/00
, B22F 1/02
, H01B 5/16
, H01B 13/00
, H01B 1/00
, H01B 1/22
, H01R 11/01
, C23C 18/36
, C23C 18/31
FI (15件):
H01B5/00 C
, B22F1/02 A
, H01B5/00 G
, H01B5/00 M
, H01B5/16
, H01B13/00 501Z
, H01B1/00 C
, H01B1/00 G
, H01B1/00 M
, H01B1/22 D
, B22F1/02 B
, H01R11/01 501E
, H01B1/22 A
, C23C18/36
, C23C18/31 A
Fターム (27件):
4K018BC24
, 4K018BC26
, 4K018BC30
, 4K018KA33
, 4K022AA02
, 4K022AA04
, 4K022AA13
, 4K022AA35
, 4K022AA41
, 4K022BA14
, 4K022DA01
, 4K022DB02
, 5G301DA03
, 5G301DA04
, 5G301DA05
, 5G301DA06
, 5G301DA07
, 5G301DA10
, 5G301DA13
, 5G301DA15
, 5G301DA29
, 5G301DA57
, 5G301DD03
, 5G307AA02
, 5G307HA02
, 5G307HB03
, 5G307HC01
前のページに戻る