特許
J-GLOBAL ID：201403046052271687
パワーモジュール半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-196010
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053403
出願日： 2012年09月06日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：
【課題】電気伝導特性と熱伝導特性を改善し、デザイン変更を簡単に実行可能であり、製造時間も短縮化可能であり、製造歩留りの向上可能なパワーモジュール半導体装置を提供する。【解決手段】金属基板21と、金属基板21の表面上に配置された第1接合層21bと、金属基板21上に第1接合層21bを介して配置された半導体デバイスQ1とを有する金属ブロック構成単位(21・21b・Q1)と、金属基板21の側面に配置された第2接合層23とを備え、金属ブロック構成単位(21・21b・Q1)は、第2接合層23を介して同一平面上に複数個隣接して配置される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
金属基板と、前記金属基板の表面上に配置された第1接合層と、前記金属基板上に前記第1接合層を介して配置された半導体デバイスとを有する金属ブロック構成単位と、
前記金属基板の側面に配置された第2接合層と
を備え、
前記金属ブロック構成単位は、前記第2接合層を介して同一平面上に複数個隣接して配置されることを特徴とするパワーモジュール半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
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