特許
J-GLOBAL ID：201403046345651018

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
山根 貴好

山根 貴好 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-253412
公開番号（公開出願番号）：特開2014-103211
出願日： 2012年11月19日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
要約：
【課題】ドーパントの相互拡散を抑制し、キャリアの活性層への注入効率が向上し、高発光効率で高電流駆動時における発光強度の低下(Droop)が低減された半導体発光素子を提供する。【解決手段】GaN系半導体からなり、n型半導体層13と、n型半導体層上に形成された活性層15と、活性層上に形成され、表面に深さが1〜5nmの凹凸構造層を有する第1の半導体層16Aと、第1の半導体層に形成されたMgドープの第2の半導体層16Bと、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaN系半導体からなる発光素子であって、 n型半導体層と、 前記n型半導体層上に形成された活性層と、 前記活性層上に形成され、表面に凹凸構造層を有する第1の半導体層と、 前記第1の半導体層に形成されたMgドープの第2の半導体層と、を有することを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L33/00 186 ,  H01L21/205
Fターム (25件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F141AA03 ,  5F141AA43 ,  5F141AA44 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA10 ,  5F141CA40 ,  5F141CA49 ,  5F141CA57 ,  5F141CA65
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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