特許
J-GLOBAL ID：201403046477320975

荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

発明者：
松本 裕信

松本 裕信 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-202849
公開番号（公開出願番号）：特開2014-060194
出願日： 2012年09月14日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：
【目的】過剰な照射量を短縮し、描画時間を短縮して装置のスループットを向上させることが可能な装置を提供する。【構成】一態様の描画装置100は、電子ビームの前方散乱の影響半径よりも大きいサイズよりも大きいサイズで試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ状の複数の第1の小領域の第1の小領域毎に、同じ第1の小領域内において、ショットされる各荷電粒子ビームが形成するショット図形が図形パターンに対して図形端のショット図形なのか図形内部のショット図形なのかにより区分されるショット種毎に異なる照射量計算式を用いて、当該第1の小領域内にショットする各荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部72と、第1の小領域毎に、ショット種毎に異なる照射量計算式で演算された照射量で当該第1の小領域内に各ショットの荷電粒子ビームを照射して、図形パターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームの前方散乱の影響半径よりも大きいサイズで試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ状の複数の第1の小領域の第1の小領域毎に、同じ第1の小領域内において、ショットされる各荷電粒子ビームが形成するショット図形が前記図形パターンに対して図形端のショット図形なのか図形内部のショット図形なのかにより区分されるショット種毎に異なる照射量計算式を用いて、当該第1の小領域内にショットする各荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、 第1の小領域毎に、ショット種毎に異なる照射量計算式で演算された照射量で当該第1の小領域内に各ショットの荷電粒子ビームを照射して、図形パターンを描画する描画部と、 を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  H01J 37/305 ,  H01J 37/04
FI (4件)：
H01L21/30 541E ,  G03F7/20 504 ,  H01J37/305 B ,  H01J37/04 A
Fターム (10件)：
2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5C030AA10 ,  5C030AB03 ,  5C034BB10 ,  5F056AA04 ,  5F056CC13 ,  5F056CC15 ,  5F056CD15 ,  5F056DA07
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM