特許

J-GLOBAL ID：201403046673822210

発光ダイオードの製造方法

発明者： ワン、タオ
出願人/特許権者： セレン フォトニクス リミテッド
代理人 (4件)： 北澤 一浩 ,  小泉 伸 ,  市川 朗子 ,  牛田 竜太
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-552280
公開番号（公開出願番号）：特表2014-509075
出願日： 2012年02月08日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
要約：

LEDのような半導体装置を製造する方法100であって、半導体ウエハを提供する工程105と、半導体ウエハの上に保護層を設ける工程110を備える。好ましくは保護層はインジウム-スズ酸化物である。ウエハ上で複数の処理工程が実行される。処理工程がなされる間、保護層はウエハを保護する。複数の処理工程は, 保護層や半導体ウエハ内にまでエッチングするために保護層の上にマスク層を設ける工程115や、マスク層を除去する工程、又は選択的にエッチングされた半導体ウエハ上の充填材料150をエッチングする工程を含む。【選択図】 図1a

請求項（抜粋）：

発光層を含む複数の層を有する半導体ウエハを提供する工程と、 該半導体ウエハ上に保護層を設ける工程と、 該半導体ウエハに複数の処理工程を実行して発光ダイオードを形成する工程と、を有し、該保護層は該複数の処理工程のうちの少なくとも一つの工程が行われている間、該半導体ウエハを保護することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/44 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L33/00 300 ,  H01L21/302 105A

Fターム (16件)：

5F004AA06 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F141AA43 ,  5F141AA44 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CB11