特許

J-GLOBAL ID：201403047255540221

新規イミダゾール化合物、電子デバイス用材料、発光素子、電子デバイス及びその製造方法

発明者： 八田 泰三 ,  水城 圭司 ,  桑原 廉枋
出願人/特許権者： 日本合成化学工業株式会社 ,  学校法人君が淵学園
代理人 (1件)： 米田 圭啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-269715
公開番号（公開出願番号）：特開2014-208602
出願日： 2013年12月26日
公開日（公表日）： 2014年11月06日
要約：

【課題】発光素子構造の低層化が可能であり、薄膜の安定性に優れる新規イミダゾール化合物の提供。【解決手段】一般式(1)で示されるイミダゾール化合物を用いる。【化1】(式中、R1、及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、フェニル基、炭素数10〜16の多環芳香族炭化水素基、ビフェニル基を表し、R3、及びR4は、それぞれ独立して、直接又は共役構造を有する結合鎖を介して連結したカルバゾール基、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、フェニル基、炭素数10〜16の多環芳香族炭化水素基、ビフェニル基を表し、R3、及びR4のうち少なくとも1つは、直接又は共役構造を有する結合鎖を介して連結したカルバゾール基である。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式(1)で示されるイミダゾール化合物。

IPC (4件)：

C07D 403/10 ,  C07D 403/14 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50

FI (4件)：

C07D403/10 ,  C07D403/14 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 B

Fターム (18件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC06 ,  3K107CC21 ,  3K107DD53 ,  3K107DD59 ,  3K107DD66 ,  3K107DD68 ,  3K107DD70 ,  3K107GG04 ,  3K107GG06 ,  4C063AA01 ,  4C063AA03 ,  4C063BB06 ,  4C063CC25 ,  4C063DD08 ,  4C063EE10