特許

J-GLOBAL ID：201403047598463346

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山崎 一雄
出願人/特許権者： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185262
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045003
出願日： 2012年08月24日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：

【課題】本発明は、下部電極が形成されるシリンダ孔の深さを深くすることなく、キャパシタの容量を増加させることの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】複数の容量コンタクトパッド45上に配置され、王冠形状とされ、かつキャパシタ54となる下部電極65と、下部電極65の上部の外面と接触するように配置され、下部電極65の上部を支持する下部電極支持部材53と、を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数の導体上に配置され、王冠形状とされ、かつキャパシタとなる下部電極と、 前記下部電極の上部の外面と接触するように配置され、前記下部電極の上部を支持する下部電極支持部材と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L27/10 621C ,  H01L27/10 671B ,  H01L27/10 651

Fターム (20件)：

5F083AD04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD29 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083AD56 ,  5F083AD60 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA03 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083MA20 ,  5F083PR05 ,  5F083PR07 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA28