特許
J-GLOBAL ID：201403047781497144
基板を化学的処理する処理システムおよび方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (17件)：
特許業務法人スズエ国際特許事務所
, 河野 哲
, 村松 貞男
, 鈴江 正二
, 蔵田 昌俊
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-144125
公開番号（公開出願番号）：特開2012-209574
特許番号：特許第5555743号
出願日： 2012年06月27日
公開日（公表日）： 2012年10月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板をエッチングするための処理システムであって、
温度制御される化学的処理チャンバと、
前記温度制御される化学的処理チャンバに組み合わされた壁加熱部材に接続され、化学的処理チャンバ温度を10°C〜200°Cの範囲に制御するように構成された壁温度コントロールユニットと、
前記化学的処理チャンバ内にマウントされ、1つ以上のさらされた表面層を有する前記基板を支持するように構成された温度制御される基板ホルダと、
前記温度制御される基板ホルダに接続された温度制御コンポーネントと、
前記化学的処理チャンバに組み合わされた真空排気システムと、
前記化学的処理チャンバに接続され、前記基板上の前記さらされた表面層を化学的に変更するために前記化学的処理チャンバに1つ以上のプロセスガスを導入するように構成されたガス分配システムと、を具備し、
前記化学的処理チャンバは、基板上の化学的に変更されたさらされた表面層を脱離または蒸発するように昇温される熱処理チャンバに組み合わされるように構成され、
前記ガス分配システムは、前記化学的処理チャンバ内の前記1つ以上のプロセスガスにさらされかつ温度制御される部分を備え、
前記温度制御される部分は、少なくとも1つのガス分配プレートを備え、
前記ガス分配プレートは、1つ以上のガス注入オリフィスを備えており、
前記温度制御される部分に組み合わされたガス分配加熱部材に接続され、ガス分配システム温度を40°C〜60°Cの範囲に制御するように構成されたガス分配システム温度コントロールユニットを更に具備する、処理システム。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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