特許

J-GLOBAL ID：201403047921455692

半導体レーザ素子

発明者： 菅 康夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (5件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄 ,  仲倉 幸典 ,  磯江 悦子 ,  山崎 敏行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-219734
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072495
出願日： 2012年10月01日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
要約：

【課題】高温動作での電流の増加を低減できる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子は、基板(101)と、この基板(101)上に形成された活性層(105)と、この活性層(105)上に形成されたリッジ部(151)と、このリッジ部(151)の側方に形成されたテラス部(152,153)と、このテラス部(152,153)上に形成された金属(113)とを備え、テラス部(152,153)の上面には凹部(152a,153a)が形成されている【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 上記基板上に形成された活性層と、 上記活性層上に形成されたリッジ部と、 上記リッジ部の側方に形成されたテラス部と、 上記テラス部上に形成された金属と を備え、 上記テラス部の上面には凹部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S5/343

Fターム (11件)：

5F173AA08 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH08 ,  5F173AL04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AR23 ,  5F173AR68 ,  5F173AR72