特許
J-GLOBAL ID：201403048058149630

下部電極、及びプラズマ処理装置

発明者：
山本 高志

山本 高志 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-158842
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022518
出願日： 2012年07月17日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：
【課題】放電が発生することを防止しつつ、チタン粒子によって被処理基板が汚染される事態を回避すること。【解決手段】下部電極2は、導電性の基材2aと、静電チャック6と、フォーカスリング5と、導電性の溶射膜100とを備える。導電性の基材2aは、高周波電力が印加される。静電チャック6は、基材2aの上面に設けられて電極6aを覆う絶縁層6bを有し、プラズマ処理の処理対象となる半導体ウエハWを絶縁層6bに静電吸着する。フォーカスリング5は、静電チャック6の絶縁層6bの上面に、半導体ウエハWの周囲を囲むように配設される。導電性の溶射膜100は、静電チャック6の絶縁層6bのうちフォーカスリング5と基材2aとに挟まれた部分に配設され、絶縁材料にチタニアが所定の重量比率で配合された合成材料を用いて形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
高周波電力が印加される導電性の基材と、 前記基材の上面に設けられて電極を覆う絶縁層を有し、前記電極に印加される電圧に基づいて、プラズマ処理の処理対象となる被処理基板を前記絶縁層に静電吸着する静電チャックと、 前記静電チャックの前記絶縁層の上面に、前記被処理基板の周囲を囲むように配設されたフォーカスリングと、 前記静電チャックの前記絶縁層のうち前記フォーカスリングと前記基材とに挟まれた部分に配設され、前記絶縁層を形成する絶縁材料にチタニアが所定の重量比率で配合された合成材料を用いて形成された導電性の溶射膜と を備えたことを特徴とする下部電極。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L21/302 101G ,  H01L21/205
Fターム (8件)：
5F004BA09 ,  5F004BB12 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F045AA08 ,  5F045EM05
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM