特許

J-GLOBAL ID：201403048150705310

集積型光電変換装置

発明者： 田中 拓
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 川上 桂子 ,  松山 隆夫 ,  坂根 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-132055
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258198
出願日： 2012年06月11日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：

【課題】変換効率を向上可能な集積型光電変換装置を提供する。【解決手段】集積型光電変換装置10は、透明導電膜21〜2n、光電変換層31〜3n、および裏面電極41〜4nを備える。透明導電膜21〜2nは、透光性基板1の面内方向へ素子分離溝61〜6n-1を介して配置される。光電変換層31〜3n-1は、それぞれ、素子分離溝61〜6n-1を埋めるように透明導電膜21〜2n-1上に配置され、光電変換層3nは、透明導電膜2n上に配置される。裏面電極41〜4n-1は、それぞれ、光電変換層31〜3n-1をそれぞれ光電変換層32〜3nへ直列に接続するように配置される。そして、光電変換層32〜3nの各々の素子分割溝81〜8n-1側の端面は、透光性基板1の面内方向において裏面電極42〜4nの素子分割溝81〜8n-1側の端面よりも当該光電変換層32〜3nの中央部側に位置している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透光性基板と、 前記透光性基板上に配置されるとともに素子分離溝を介して前記透光性基板の面内方向に配置された複数の透明導電膜と、 前記複数の透明導電膜上に配置されるとともに接続用分離溝を介して前記透光性基板の面内方向に配置された複数の光電変換層と、 前記複数の光電変換層上に配置されるとともに素子分割溝を介して前記透光性基板の面内方向に配置された複数の裏面電極とを備え、 前記複数の光電変換層は、前記複数の透明導電膜および前記複数の裏面電極によって直列に接続されており、 前記複数の光電変換層の各々は、少なくとも1つのpin構造からなり、 前記素子分割溝に接する光電変換層の前記素子分割溝側の端面は、前記透光性基板の面内方向において前記裏面電極の前記素子分割溝側の端面よりも当該光電変換層の中央部側に位置している、集積型光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 S

Fターム (7件)：

5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151CA14 ,  5F151CB15 ,  5F151CB22 ,  5F151EA13 ,  5F151EA16