特許
J-GLOBAL ID：201403048164897310

半導体装置

発明者：
山▲崎▼ 康男

山▲崎▼ 康男 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 柳瀬 睦肇 ,  宇都宮 正明 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-252118
公開番号（公開出願番号）：特開2014-103143
出願日： 2012年11月16日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
要約：
【課題】無電界Niめっき層の応力によるクラックの発生を抑制することで信頼性を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】IC基板101上に形成されたパッド102bと、前記パッド及び前記IC基板の上に形成されたパッシベーション膜103と、前記パッシベーション膜に形成された、前記パッド上に位置するビアホール103bと、前記ビアホール内及び前記パッシベーション膜上に形成された、前記パッシベーション膜と接する金属層21,22と、前記金属層上に形成された無電解Niめっき層23と、前記パッシベーション膜上に形成され、前記金属層及び前記無電解Niめっき層それぞれの外周端面部と前記パッシベーション膜との間に、斜面を有するように形成された樹脂層14と、を具備する半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
IC基板上に形成されたパッドと、 前記パッド及び前記IC基板の上に形成されたパッシベーション膜と、 前記パッシベーション膜に形成された、前記パッド上に位置するビアホールと、 前記ビアホール内及び前記パッシベーション膜上に形成された、前記パッシベーション膜と接する金属層と、 前記金属層上に形成された無電解Niめっき層と、 前記パッシベーション膜上に形成され、前記金属層及び前記無電解Niめっき層それぞれの外周端面部と前記パッシベーション膜との間に、斜面を有するように形成された樹脂層と、 を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 21/60
FI (3件)：
H01L21/92 602J ,  H01L21/92 602K ,  H01L21/92 602H
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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