特許

J-GLOBAL ID：201403048209181248

イオン注入装置

発明者： 高岡 邦文
出願人/特許権者： 日新イオン機器株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-274316
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120596
出願日： 2012年12月17日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：

【課題】1ロット内でのイオン注入処理時間を大幅に改善し、より高速なイオン注入を実施するためのイオン注入装置を提供する。【解決手段】1枚の基板に対して、エネルギーの値を変えながら多段イオン注入を実施するイオン注入装置IMであって、1ロット内にある複数枚の基板に対して、多段イオン注入処理を行っていく際、予め決められた運転パラメータに基づいて、少なくとも2枚目以降の基板に対する多段イオン注入処理を行う。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

1枚の基板に対して、エネルギーの値を変えながら多段イオン注入を実施するイオン注入装置であって、 1ロット内にある複数枚の基板に対して、多段イオン注入処理を行っていく際、予め決められた運転パラメータに基づいて、少なくとも2枚目以降の基板に対する多段イオン注入処理を行うことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01J 37/317

FI (4件)：

H01L21/265 T ,  H01J37/317 C ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 603Z

Fターム (2件)：

5C034CD01 ,  5C034CD10