特許
J-GLOBAL ID：201403048242257489

非晶質硬質炭素膜の成膜方法及び成膜装置

発明者：
糸村 大輔

糸村 大輔 について

, 
寺 亮之介

寺 亮之介 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  加藤 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-174875
公開番号（公開出願番号）：特開2014-034685
出願日： 2012年08月07日
公開日（公表日）： 2014年02月24日
要約：
【課題】電界強度を上げた状態で安定してプラズマを形成し、高密度プラズマを発生させることのできるDLC膜の成膜方法及び成膜装置を提供すること。【解決手段】処理チャンバを規定する円筒形電極と、処理チャンバのほぼ中央に配置された棒状電極とを備え、棒状電極と円筒形電極の間の電極間距離が1〜10mmであるプラズマ処理装置を用意して、このプラズマ処理装置において、アルゴンガス、水素ガス及び窒素ガスの存在下でプラズマ窒化処理により基材を前処理した後、その前処理工程に連続して中間層を成膜し、さらに連続して、炭素供給源の存在下、非晶質硬質炭素膜をプラズマCVD処理により成膜するように構成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基材の表面に非晶質硬質炭素膜を成膜する方法において、 処理チャンバを規定する円筒形電極と、前記処理チャンバのほぼ中央に配置された棒状電極とを備え、前記棒状電極と前記円筒形電極の間の電極間距離が1〜10mmであるプラズマ処理装置を用意すること、 前記プラズマ処理装置において、前記棒状電極と前記円筒形電極の間に電界を印加してプラズマを発生させて、プラズマ処理で成膜を行うこと、及び アルゴンガス、水素ガス及び窒素ガスの存在下でプラズマ窒化処理により前記基材を前処理した後、その前処理工程に連続して中間層を成膜し、さらに連続して、炭素供給源の存在下、前記非晶質硬質炭素膜をプラズマCVD処理により成膜すること を特徴とする非晶質硬質炭素膜の成膜方法。
IPC (1件)：
C23C 16/27
FI (1件)：
C23C16/27
Fターム (13件)：
4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB13 ,  4K030CA02 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030FA01 ,  4K030JA03 ,  4K030KA16 ,  4K030KA18 ,  4K030LA23
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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