特許
J-GLOBAL ID:201403048521731930

半導体集積回路装置および電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-243296
公開番号(公開出願番号):特開2014-093432
出願日: 2012年11月05日
公開日(公表日): 2014年05月19日
要約:
【課題】低電圧回路部と高電圧回路部とを1チップ化して実装効率を向上させると共に、高電圧回路部から効率的に放熱可能のため、COF構造に実装可能な半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】半導体集積回路装置60は、COF基板14上に実装され、低電圧で動作する低電圧回路部70と、低電圧より高い高電圧で動作する高電圧回路部80とをワンチップ化した半導体集積回路26と、COF基板14と半導体集積回路26とを封止する樹脂層25とを備え、COF基板14上にフリップチップに配置される。高電圧回路部80は、パワー半導体デバイス34を備え、パワー半導体デバイス34の各端子電極上に、電気的接続と放熱経路を兼ねるバンプ30を備える。【選択図】図14
請求項(抜粋):
COF基板と、 前記COF基板上に実装され、低電圧で動作する低電圧回路部と、前記低電圧より高い高電圧で動作する高電圧回路部とをワンチップ化した半導体集積回路と、 前記COF基板と前記半導体集積回路とを封止する樹脂層と を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (2件):
H01L21/60 311Q ,  H01L21/92 602P
Fターム (3件):
5F044KK03 ,  5F044KK09 ,  5F044RR18
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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