特許
J-GLOBAL ID：201403048538456487

半導体装置及びその製造方法

発明者：
須藤 岳

須藤 岳 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-152915
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017329
出願日： 2012年07月06日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：
【課題】チップ面積に対する電流量が大きいトランジスタを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上面に、第1方向に延びるフィンを形成する工程と、前記フィンを覆うマスク膜を形成する工程と、前記マスク膜に、第2方向に延びる複数本の第1の溝を形成する工程と、前記第1の溝内に絶縁性の側壁部材を埋設する工程と、前記側壁部材間の空間のうち、一部の空間から前記マスク膜を除去することにより、第2の溝を形成する工程と、前記第2の溝内にゲート電極を形成する工程と、前記側壁部材間の空間のうち、残りの空間から前記マスク膜を除去することにより、第3の溝を形成する工程と、前記フィンにおける前記第3の溝内に配置された第2部分を導電体化する工程と、を備える。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
半導体基板の上面に、第1方向に延び、上部が下部よりも細い断面が凸字状のフィンを形成する工程と、 前記フィンを覆うようにカーボン膜を形成する工程と、 前記カーボン膜上にノンドープ膜を形成する工程と、 前記ノンドープ膜上に前記第1方向に対して交差した第2方向に延びる芯材を形成する工程と、 前記芯材の両側面上に側壁ハードマスクを形成する工程と、 前記芯材及び前記芯材の両側面上に形成された一対の前記側壁ハードマスクからなる構造体をマスクとし、前記ノンドープ膜に対して、直上方向に対して前記第1方向の片側に傾斜した方向から不純物を注入することにより、前記ノンドープ膜のうち、前記一対の側壁ハードマスクのうち一方の直下域を含む部分を不純物ドープ膜とする工程と、 前記芯材を除去する工程と、 前記側壁ハードマスクをマスクとした異方性エッチングを施して前記カーボン膜を選択的に除去することにより、前記カーボン膜に、前記第2方向に延び、前記フィンに到達する第1の溝を形成する工程と、 前記第1の溝内に絶縁性の側壁部材を埋設する工程と、 前記不純物ドープ膜を除去せずに前記ノンドープ膜を除去する工程と、 前記カーボン膜における前記ノンドープ膜の直下域に位置していた部分を除去することにより、第2の溝を形成する工程と、 酸化処理を施すことにより、前記フィンにおける前記第2の溝内に配置された第1部分について、前記下部の両側部及び前記上部を酸化膜とする工程と、 前記酸化膜を除去する工程と、 前記第1部分の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記第1部分を跨ぐように、前記ゲート絶縁膜上に、前記第2方向に延びるゲート電極を形成する工程と、 前記不純物ドープ膜を除去する工程と、 前記カーボン膜における前記不純物ドープ膜の直下域に位置していた部分を除去することにより、第3の溝を形成する工程と、 前記フィンにおける前記第3の溝内に配置された第2部分について、前記下部の両側部及び前記上部を導電体化する工程と、 を備えた半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (5件)：
H01L29/78 301Y ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/08 102B ,  H01L29/44 L ,  H01L29/58 G
Fターム (55件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD84 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB09 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BD06 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG13 ,  5F140AA29 ,  5F140AA30 ,  5F140AA40 ,  5F140AB01 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BB05 ,  5F140BC15 ,  5F140BE07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BH05 ,  5F140BH08 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ26 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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