特許

J-GLOBAL ID：201403049007057533

センサ及びセンサの製造方法

発明者： 佐藤 威友
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  鈴木 英彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-094012
公開番号（公開出願番号）：特開2011-226800
特許番号：特許第5339377号
出願日： 2010年04月15日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 電界効果トランジスタ型のセンサであって、 第1導電型半導体基板と、 前記第1導電型半導体基板の主面上に設けられた第2導電型半導体領域と、 前記第2導電型半導体領域の上面又は側面に設けられたソース電極と、 前記ソース電極と離間するように前記第2導電型半導体領域の上面又は側面に設けられたドレイン電極と、 前記第1導電型半導体基板の裏面上に設けられたバックゲート電極と、 を備え、 前記第1導電型半導体基板と前記第2導電型半導体領域とはpn接合を構成し、 前記第2導電型半導体領域の上面の少なくとも一部は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極によって覆われておらず、 前記第2導電型半導体領域の上面の前記少なくとも一部には、複数の孔部が形成されており、 前記複数の孔部は、それぞれ、前記第2導電型半導体領域の上面から前記第1導電型半導体基板に向かって延びると共に、前記第1導電型半導体基板には至っておらず、 前記第2導電型半導体領域の上面の前記少なくとも一部及び前記複数の孔部の側面は、オープンゲートを構成していることを特徴とするセンサ。

IPC (2件)：

G01N 27/414 ( 200 6.01) ,  G01N 27/00 ( 200 6.01)

FI (6件)：

G01N 27/30 301 U ,  G01N 27/30 301 V ,  G01N 27/30 301 W ,  G01N 27/30 301 X ,  G01N 27/30 301 Y ,  G01N 27/00 J