特許

J-GLOBAL ID：201403049034491040

半導体装置

発明者： 明田 正俊 ,  三浦 峰生
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  京村 順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-282882
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127573
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：

【課題】順方向電圧および逆方向リーク電流を低減でき、整流動作を簡単に行うことができる半導体装置を提供すること。【解決手段】n+型基板2と、エピタキシャル層4と、エピタキシャル層4の表面部に選択的に形成され、当該表面部に所定の形状の単位セル14を区画するトレンチ13と、トレンチ13の内面に倣うように形成されたp型層17と、単位セル14においてエピタキシャル層4の表面10から露出するように形成されたn+型表面層9と、n+型表面層9とn+型基板2との間に形成されたn-型ドリフト層8と、n+型表面層9との間にオーミック接合を形成するアノード電極31と、n+型基板2との間にオーミック接合を形成するカソード電極6とを含む、半導体装置1を作製する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体層と、 前記半導体層の表面部に選択的に形成され、当該表面部に所定の形状の単位セルを区画するトレンチと、 前記トレンチの内面の一部または全部に倣うように形成された第2導電型層と、 前記単位セルにおいて前記半導体層の表面から露出するように形成された第1導電型の表面層と、 前記半導体層の裏面から露出するように形成された第1導電型の裏面層と、 前記半導体層の前記表面層と前記裏面層との間に形成され、前記表面層および前記裏面層に比べて低濃度な第1導電型のドリフト層と、 前記表面層に接していて、前記表面層との間にオーミック接合を形成する第1電極と、 前記裏面層に接していて、前記裏面層との間にオーミック接合を形成する第2電極とを含む、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/329

FI (6件)：

H01L29/91 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/91 B ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V