特許
J-GLOBAL ID：201403049136081335
圧延銅箔
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-226643
公開番号（公開出願番号）：特開2014-077182
出願日： 2012年10月12日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：
【課題】ソフトエッチングやハーフエッチングの際に表面の凹凸の形成が抑制される圧延銅箔を提供する。【解決手段】再結晶工程を経て用いられることとなる、複数の結晶面から構成される主表面を有する圧延銅箔であって、圧延銅箔の全ての粒子が再結晶するように200°Cに昇温して30分加熱する再結晶工程後には、主表面に対するEBSP(Electron Backscatter Diffraction Pattern)法から得られる、主表面における(200)面の面積比率をR(200)としたとき、R(200)が20%未満であるとともに、主表面を構成する複数の結晶面の最大寸法が100μm以下の圧延銅箔である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
再結晶工程を経て用いられることとなる、複数の結晶面から構成される主表面を有する圧延銅箔であって、
前記圧延銅箔の全ての粒子が再結晶するように200°Cに昇温して30分加熱する再結晶工程後には、
前記主表面に対するEBSP(Electron Backscatter Diffraction Pattern)法から得られる、前記主表面における(200)面の面積比率をR(200)としたとき、前記R(200)が20%未満であるとともに、
前記主表面を構成する前記複数の結晶面の最大寸法が100μm以下である
ことを特徴とする圧延銅箔。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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