ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：下田一弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-201456
公開番号（公開出願番号）：特開2014-056962
出願日： 2012年09月13日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：

【課題】耐久性の劣る色素増感型太陽電池や耐光性、耐湿性に劣る有機薄膜太陽電池に代替する固体接合型太陽電池を提供する。【解決手段】透明基板と、前記透明基板上に形成された透明電極層からなる一対の透明電極基板間に光電変換層を有する光電変換素子であって、前記光電変換層が前記電極基板上に、有機無機混成ペロブスカイト化合物Aを被膜形成または吸着させたカーボンナノチューブ層からなる第1半導体層と、無機ペロブスカイト化合物Bおよび/または有機無機混成ペロブスカイト化合物Cを被膜形成または吸着させたカーボンナノチューブ層からなる第2半導体層とを、接合した固体接合型光電変換素子。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

透明基板と、前記透明基板上に形成された透明電極層からなる一対の透明電極基板間に光電変換層を有する光電変換素子であって、前記光電変換層が前記電極基板上に、下記一般式(1)または(2)のいずれかに示す有機無機混成ペロブスカイト化合物Aを被膜形成または吸着させたカーボンナノチューブ層からなる第1半導体層と、下記一般式(3)に示す無機ペロブスカイト化合物Bおよび/または下記一般式(4)若しくは(5)に示す有機無機混成ペロブスカイト化合物Cを被膜形成または吸着させたカーボンナノチューブ層からなる第2半導体層とを、接合したものであることを特徴とする固体接合型光電変換素子。 CH3NH3M1X3 (1) (式中、M1は、2価の金属イオンであり、Xは、F,Cl,Br,Iである。) (R1NH3)2M1X4 (2) (式中、R1は炭素数2以上のアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、複素環基または芳香族複素環基であり、M1は、2価の金属イオンであり、Xは、F,Cl,Br,Iである。) CsM2X3 (3) (式中、M2は、2価の金属イオンであり、Xは、F,Cl,Br,Iである。) CH3NH3SnX3 (4) (式中、Xは、F,Cl,Br,Iである。) (R2NH3)2SnX4 (5) (式中、R2は炭素数2以上のアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、複素環基または芳香族複素環基であり、Xは、F,Cl,Br,Iである。)

IPC (2件)：

H01L 51/42 , H01L 31/06

FI (2件)：

H01L31/04 D , H01L31/04 E

Fターム (13件)：

5F151AA10 , 5F151AA11 , 5F151CB13 , 5F151CB15 , 5F151EA09 , 5F151EA14 , 5F151EA15 , 5F151FA04 , 5F151FA06 , 5F151FA16 , 5F151FA17 , 5F151GA03 , 5F151JA02

引用特許：

審査官引用 (1件)

ナノ粒子により増感させたカーボンナノチューブを含む光起電装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-501744 出願人：ソレクサント・コーポレイション

引用文献：

審査官引用 (1件)

Lead Iodide Perovskite Sensitized All-Solid-State Submicron Thin Film Mesoscopic Solar Cell with Eff

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