特許
J-GLOBAL ID：201403049334703716
III族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、III族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を評価する方法、スクライブ溝を評価する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-228933
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082305
出願日： 2012年10月16日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
要約：
【課題】III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した基板の半極性面上において、戻り光による撹乱の低減を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザを提供する。【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子11では、角度ALPHAが71度以上79度以下の範囲であるときには、角度α1は10度以上25度以下の範囲であり、角度β1は0度以上5度以下の範囲である。エピ面に近い第1面13a付近の第1端面27では、m-n面内において第1法線ベクトルENV1とc+軸ベクトルVC+との成す角度は、角度α1に近い値(例えば10度以上25度以下の範囲)を有する。基板裏面17b付近の第1端面27では、m-n面内において第2法線ベクトルENV2とc+軸ベクトルVC+との成す角度は、角度β1に近い値(例えば0度以上5度以下の範囲)を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体レーザ素子であって、
六方晶系のIII族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極と、
を備え、
前記支持基体の前記III族窒化物半導体のc軸は、<0001>軸方向に向いており、
前記<0001>軸方向は、c+軸ベクトルによって表され、
前記半導体領域は、窒化ガリウム系半導体層を含む活性層を有し、
前記支持基体の前記III族窒化物半導体の前記c軸から前記III族窒化物半導体の[-1010]軸への方向に該c軸が前記半極性主面の法線軸に対して角度ALPHAを成し、前記角度ALPHAは71度以上79度以下の範囲であり、
前記レーザ構造体は第1端面及び第2端面を含み、前記第1端面及び前記第2端面は、前記III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm-n面に交差し、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1端面及び前記第2端面を含み、
前記レーザ構造体は第1面及び第2面を含み、前記第1面は前記第2面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1面と前記支持基体との間に位置し、
前記第1端面の第1法線ベクトルが前記第1端面と前記第1面の第1エッジ上において規定され、前記c+軸ベクトルは、前記[-1010]軸から前記c軸に向かう方向に前記m-n面内において前記第1法線ベクトルに対して角度α1で傾斜しており、前記角度α1は、10度以上25度以下の範囲であり、
前記第1端面の第2法線ベクトルが前記第1端面と前記第2面の第2エッジ上において規定され、前記c+軸ベクトルは、前記[-1010]軸から前記c軸に向かう方向に前記m-n面内において前記第2法線ベクトルに対して角度β1で傾斜しており、前記角度β1は、0度以上5度以下の範囲であり、
前記第1端面及び前記第2端面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れている、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F173AA08
, 5F173AG17
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP24
, 5F173AP33
, 5F173AP83
, 5F173AP84
, 5F173AR42
, 5F173AR70
, 5F173ZQ01
